|
@@ -181,10 +181,10 @@ $^f$ Université Bourgogne Franche-Comté
|
|
|
порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
|
|
|
плазмонов. В работе [Bert Kecht] экспериментально продемонстрировано
|
|
|
усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
|
|
|
-туннельной контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
|
|
|
+туннельный контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
|
|
|
|
|
|
-Как известно, морфологические особенности металлических пленок (такие
|
|
|
-как шероховатость или размер зерна), являющихся одним из берегов
|
|
|
+Как известно, морфологические особенности металлических пленок (такие, как
|
|
|
+шероховатость или размер зерна), являющихся одним из берегов
|
|
|
туннельного контакта, также могут иметь антенные эффекты и влиять на
|
|
|
интенсивность эмиссии фотонов. В данной работе мы исследуем влияние
|
|
|
свойств поверхности золотых пленок на эффективность излучения фотонов
|
|
@@ -218,7 +218,7 @@ $^f$ Université Bourgogne Franche-Comté
|
|
|
Стеклянные подложки толщиной 150~мкм, также покрывались тонким слоем
|
|
|
золота с толщиной в диапазоне (15-50)~нм с подслоем хрома. Важно, что
|
|
|
при напылении варьировались технологические параметры процесса,
|
|
|
-влияющие на мофрологические особенности формируемых пленок.
|
|
|
+влияющие на морфологические особенности формируемых пленок.
|
|
|
|
|
|
\begin{figure}[t]\centering
|
|
|
\includegraphics[width=0.95\linewidth]{ExpSetup.eps}
|
|
@@ -303,7 +303,7 @@ NA=0.95). Для регистрации излучения использова
|
|
|
туннельного тока была постоянной. По характеру работы СТМ с ОС на
|
|
|
воздухе при высоких напряжениях смещения, можно выделить три режима
|
|
|
работы СТМ~\cite{rogez2016mechanism}: режим "стабильного тока", "не
|
|
|
-стабильного тока", при котором наблюдается редкие всплески туннельного
|
|
|
+стабильного тока", при котором наблюдаются редкие всплески туннельного
|
|
|
тока, и режим "насыщения", в котором ОС возбуждена. В последнем
|
|
|
режиме, сканер быстро подводит образец к зонду, возникает большой
|
|
|
туннельный ток, и ОС сразу же разрывает контакт. Таким образом,
|
|
@@ -335,8 +335,7 @@ NA=0.95). Для регистрации излучения использова
|
|
|
отражается при прохождении через образец. Для определения оптических
|
|
|
\KL{и геометрических} параметров исследуемых образцов были измерены
|
|
|
спектры оптического пропускания (рис.~\ref{risTransmission}).
|
|
|
-\KL{Серые зашумлённые линии соответствуют экспериментальным данным,
|
|
|
- поверх них наложены более гладкие черные линии, полученные в расчёте
|
|
|
+\KL{Серые зашумлённые линии соответствуют экспериментальным данным, поверх них наложены более гладкие черные линии, полученные в расчёте
|
|
|
методом матриц переноса (a правда им?). В этом расчёте для каждого
|
|
|
образца использовалось два подгоночных параметра: толщины подслоя
|
|
|
хрома и слоя золота, значения материальных параметров были взяты из
|
|
@@ -385,14 +384,14 @@ NA=0.95). Для регистрации излучения использова
|
|
|
$A$. При уменьшении аспектного отношения зерна интенсивность излучения
|
|
|
от пленок золота увеличивается драматическим образом.
|
|
|
|
|
|
-Предельным случаем поверхности со стремящимся к 0 параметром
|
|
|
+Предельным случаем поверхности со стремящимся к нулю параметром
|
|
|
$Z_{grain}$ является монокристаллическое золото. Мы исследовали
|
|
|
интенсивность излучения туннельного контакта от пленки
|
|
|
монокристаллического золота толщиной 150 нм. \KL{В таблице указана
|
|
|
толщина в 300нм} \KL{\sout{Понятно, что в}В} данном случае сбор
|
|
|
фотонов через подложку крайне затруднен\KL{, \sout{. В соответствии с
|
|
|
данным фактом была введена модификация экспериментальной схемы, в
|
|
|
- которой} поэтому} сбор фотонов из под острия СТМ был организован
|
|
|
+ которой} поэтому} сбор фотонов из-под острия СТМ был организован
|
|
|
через боковой длиннофокусный объектив, установленный под углом
|
|
|
25$^\circ$ к плоскости подложки. Для прямого сравнения полученных
|
|
|
экспериментальных данных интенсивность излучения от
|
|
@@ -482,15 +481,15 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
|
зазора. Это связано с тем, что в каждом методе существуют ограничения,
|
|
|
которые при дальнейшем уменьшении расстояния между диполем и
|
|
|
поверхностью делают расчёт чрезвычайно трудоёмким с вычислительной
|
|
|
-точки зрения. Для метода FDTD в использованном программном обеспечение
|
|
|
+точки зрения. Для метода FDTD в использованном программном обеспечении
|
|
|
отсутствует возможность использования симметрии вращения, поэтому
|
|
|
пришлось использовать трёхмерную модель. В свою очередь, увеличение
|
|
|
числа разбиений расчётной сетки $n$ приводит к тому, что объём
|
|
|
используемой компьютерной памяти растёт как $n^3$. В силу критерия
|
|
|
Куранта шага по времени необходимо уменьшать пропорционально шагу
|
|
|
-дискретизаци в пространстве. В результате, общее время выполнения
|
|
|
+дискретизации в пространстве. В результате, общее время выполнения
|
|
|
расчёта растёт как $n^4$. Это и ограничивает возможность использования
|
|
|
-сеток с мелким шагом, необходимым чтобы разрешить меньшие зазоры между
|
|
|
+сеток с мелким шагом, необходимым, чтобы разрешить меньшие зазоры между
|
|
|
диполем и поверхностью.
|
|
|
|
|
|
В методе T-матриц вначале выполняется разложение поля диполя по
|
|
@@ -501,8 +500,7 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
|
диполем и поверхностью уменьшается, то требуется увеличивать число
|
|
|
слагаемых в сумме для достижения сходимости, т.е. когда результат
|
|
|
перестаёт зависеть от числа слагаемых. Однако большее число меньших
|
|
|
-слагаемых приводит к накоплению ошибок округления при выполнении
|
|
|
-арифметических операций компьютером и финальный результат перестаёт
|
|
|
+слагаемых приводит к накоплению ошибок округления при выполнении арифметических операций компьютером, и финальный результат перестаёт
|
|
|
быть устойчивым к малым изменениям входных параметров. Таким образом,
|
|
|
для получения устойчивых результатов зазор между диполем и
|
|
|
поверхностью в методе Т-матриц должен быть достаточно большим.
|
|
@@ -516,7 +514,7 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
|
|
|
|
Для сопоставления с экспериментальными данными учитывался сбор
|
|
|
излучения диполя в конечную апертуру объектива. Интересно отметить,
|
|
|
-что близкие результаты были получены не смотря на то, что в методе
|
|
|
+что близкие результаты были получены несмотря на то, что в методе
|
|
|
FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем поле интегрированием по
|
|
|
части плоскости, перекрывающей заданную апертуру, а в методе Т-матриц
|
|
|
интегрирование велось по углу в дальнем поле.
|
|
@@ -548,8 +546,8 @@ FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем по
|
|
|
влияние свойств поверхности для тонких не кристаллических пленок. Как
|
|
|
известно, зерна золота имеют свои локализованные плазмонные резонансы
|
|
|
[правильная ссыль], при которых наблюдается усиление электромагнитного
|
|
|
-излучения на границах зерен (hot spots). В виду наличия слоя золота и
|
|
|
-бианизатрапии подложки hot spots в основном локализованы в области
|
|
|
+излучения на границах зерен (hot spots). Ввиду наличия слоя золота и
|
|
|
+бианизотропии подложки hot spots в основном локализованы в области
|
|
|
золотой пленки, а не в воздухе, что приводит к существенному
|
|
|
поглощению энергии, связанному с оптическими потерями золота и
|
|
|
Джоулевым нагревом. Понятно, что чем меньше диаметр зерен, тем больше
|