Konstantin Ladutenko 6 years ago
parent
commit
c24e2f1e22
1 changed files with 15 additions and 17 deletions
  1. 15 17
      main.tex

+ 15 - 17
main.tex

@@ -181,10 +181,10 @@ $^f$ Université Bourgogne Franche-Comté
 порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
 порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
 плазмонов. В работе [Bert Kecht] экспериментально продемонстрировано
 плазмонов. В работе [Bert Kecht] экспериментально продемонстрировано
 усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
 усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
-туннельной контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
+туннельный контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
 
 
-Как известно, морфологические особенности металлических пленок (такие
-как шероховатость или размер зерна), являющихся одним из берегов
+Как известно, морфологические особенности металлических пленок (такие, как
+шероховатость или размер зерна), являющихся одним из берегов
 туннельного контакта, также могут иметь антенные эффекты и влиять на
 туннельного контакта, также могут иметь антенные эффекты и влиять на
 интенсивность эмиссии фотонов. В данной работе мы исследуем влияние
 интенсивность эмиссии фотонов. В данной работе мы исследуем влияние
 свойств поверхности золотых пленок на эффективность излучения фотонов
 свойств поверхности золотых пленок на эффективность излучения фотонов
@@ -218,7 +218,7 @@ $^f$ Université Bourgogne Franche-Comté
 Стеклянные подложки толщиной 150~мкм, также покрывались тонким слоем
 Стеклянные подложки толщиной 150~мкм, также покрывались тонким слоем
 золота с толщиной в диапазоне (15-50)~нм с подслоем хрома.  Важно, что
 золота с толщиной в диапазоне (15-50)~нм с подслоем хрома.  Важно, что
 при напылении варьировались технологические параметры процесса,
 при напылении варьировались технологические параметры процесса,
-влияющие на мофрологические особенности формируемых пленок.
+влияющие на морфологические особенности формируемых пленок.
 
 
 \begin{figure}[t]\centering
 \begin{figure}[t]\centering
 	\includegraphics[width=0.95\linewidth]{ExpSetup.eps}
 	\includegraphics[width=0.95\linewidth]{ExpSetup.eps}
@@ -303,7 +303,7 @@ NA=0.95). Для регистрации излучения использова
 туннельного тока была постоянной. По характеру работы СТМ с ОС на
 туннельного тока была постоянной. По характеру работы СТМ с ОС на
 воздухе при высоких напряжениях смещения, можно выделить три режима
 воздухе при высоких напряжениях смещения, можно выделить три режима
 работы СТМ~\cite{rogez2016mechanism}: режим "стабильного тока", "не
 работы СТМ~\cite{rogez2016mechanism}: режим "стабильного тока", "не
-стабильного тока", при котором наблюдается редкие всплески туннельного
+стабильного тока", при котором наблюдаются редкие всплески туннельного
 тока, и режим "насыщения", в котором ОС возбуждена. В последнем
 тока, и режим "насыщения", в котором ОС возбуждена. В последнем
 режиме, сканер быстро подводит образец к зонду, возникает большой
 режиме, сканер быстро подводит образец к зонду, возникает большой
 туннельный ток, и ОС сразу же разрывает контакт. Таким образом,
 туннельный ток, и ОС сразу же разрывает контакт. Таким образом,
@@ -335,8 +335,7 @@ NA=0.95). Для регистрации излучения использова
 отражается при прохождении через образец. Для определения оптических
 отражается при прохождении через образец. Для определения оптических
 \KL{и геометрических} параметров исследуемых образцов были измерены
 \KL{и геометрических} параметров исследуемых образцов были измерены
 спектры оптического пропускания (рис.~\ref{risTransmission}).
 спектры оптического пропускания (рис.~\ref{risTransmission}).
-\KL{Серые зашумлённые линии соответствуют экспериментальным данным,
-  поверх них наложены более гладкие черные линии, полученные в расчёте
+\KL{Серые зашумлённые линии соответствуют экспериментальным данным, поверх них наложены более гладкие черные линии, полученные в расчёте
   методом матриц переноса (a правда им?). В этом расчёте для каждого
   методом матриц переноса (a правда им?). В этом расчёте для каждого
   образца использовалось два подгоночных параметра: толщины подслоя
   образца использовалось два подгоночных параметра: толщины подслоя
   хрома и слоя золота, значения материальных параметров были взяты из
   хрома и слоя золота, значения материальных параметров были взяты из
@@ -385,14 +384,14 @@ NA=0.95). Для регистрации излучения использова
 $A$. При уменьшении аспектного отношения зерна интенсивность излучения
 $A$. При уменьшении аспектного отношения зерна интенсивность излучения
 от пленок золота увеличивается драматическим образом.
 от пленок золота увеличивается драматическим образом.
 
 
-Предельным случаем поверхности со стремящимся к 0 параметром
+Предельным случаем поверхности со стремящимся к нулю параметром
 $Z_{grain}$ является монокристаллическое золото. Мы исследовали
 $Z_{grain}$ является монокристаллическое золото. Мы исследовали
 интенсивность излучения туннельного контакта от пленки
 интенсивность излучения туннельного контакта от пленки
 монокристаллического золота толщиной 150 нм.  \KL{В таблице указана
 монокристаллического золота толщиной 150 нм.  \KL{В таблице указана
   толщина в 300нм} \KL{\sout{Понятно, что в}В} данном случае сбор
   толщина в 300нм} \KL{\sout{Понятно, что в}В} данном случае сбор
 фотонов через подложку крайне затруднен\KL{, \sout{. В соответствии с
 фотонов через подложку крайне затруднен\KL{, \sout{. В соответствии с
     данным фактом была введена модификация экспериментальной схемы, в
     данным фактом была введена модификация экспериментальной схемы, в
-    которой} поэтому} сбор фотонов из под острия СТМ был организован
+    которой} поэтому} сбор фотонов из-под острия СТМ был организован
 через боковой длиннофокусный объектив, установленный под углом
 через боковой длиннофокусный объектив, установленный под углом
 25$^\circ$ к плоскости подложки. Для прямого сравнения полученных
 25$^\circ$ к плоскости подложки. Для прямого сравнения полученных
 экспериментальных данных интенсивность излучения от
 экспериментальных данных интенсивность излучения от
@@ -482,15 +481,15 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
 зазора. Это связано с тем, что в каждом методе существуют ограничения,
 зазора. Это связано с тем, что в каждом методе существуют ограничения,
 которые при дальнейшем уменьшении расстояния между диполем и
 которые при дальнейшем уменьшении расстояния между диполем и
 поверхностью делают расчёт чрезвычайно трудоёмким с вычислительной
 поверхностью делают расчёт чрезвычайно трудоёмким с вычислительной
-точки зрения. Для метода FDTD в использованном программном обеспечение
+точки зрения. Для метода FDTD в использованном программном обеспечении
 отсутствует возможность использования симметрии вращения, поэтому
 отсутствует возможность использования симметрии вращения, поэтому
 пришлось использовать трёхмерную модель. В свою очередь, увеличение
 пришлось использовать трёхмерную модель. В свою очередь, увеличение
 числа разбиений расчётной сетки $n$ приводит к тому, что объём
 числа разбиений расчётной сетки $n$ приводит к тому, что объём
 используемой компьютерной памяти растёт как $n^3$. В силу критерия
 используемой компьютерной памяти растёт как $n^3$. В силу критерия
 Куранта шага по времени необходимо уменьшать пропорционально шагу
 Куранта шага по времени необходимо уменьшать пропорционально шагу
-дискретизаци в пространстве. В результате, общее время выполнения
+дискретизации в пространстве. В результате, общее время выполнения
 расчёта растёт как $n^4$. Это и ограничивает возможность использования
 расчёта растёт как $n^4$. Это и ограничивает возможность использования
-сеток с мелким шагом, необходимым чтобы разрешить меньшие зазоры между
+сеток с мелким шагом, необходимым, чтобы разрешить меньшие зазоры между
 диполем и поверхностью.
 диполем и поверхностью.
 
 
 В методе T-матриц вначале выполняется разложение поля диполя по
 В методе T-матриц вначале выполняется разложение поля диполя по
@@ -501,8 +500,7 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
 диполем и поверхностью уменьшается, то требуется увеличивать число
 диполем и поверхностью уменьшается, то требуется увеличивать число
 слагаемых в сумме для достижения сходимости, т.е. когда результат
 слагаемых в сумме для достижения сходимости, т.е. когда результат
 перестаёт зависеть от числа слагаемых. Однако большее число меньших
 перестаёт зависеть от числа слагаемых. Однако большее число меньших
-слагаемых приводит к накоплению ошибок округления при выполнении
-арифметических операций компьютером и финальный результат перестаёт
+слагаемых приводит к накоплению ошибок округления при выполнении арифметических операций компьютером, и финальный результат перестаёт
 быть устойчивым к малым изменениям входных параметров.  Таким образом,
 быть устойчивым к малым изменениям входных параметров.  Таким образом,
 для получения устойчивых результатов зазор между диполем и
 для получения устойчивых результатов зазор между диполем и
 поверхностью в методе Т-матриц должен быть достаточно большим.
 поверхностью в методе Т-матриц должен быть достаточно большим.
@@ -516,7 +514,7 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
 
 
 Для сопоставления с экспериментальными данными учитывался сбор
 Для сопоставления с экспериментальными данными учитывался сбор
 излучения диполя в конечную апертуру объектива. Интересно отметить,
 излучения диполя в конечную апертуру объектива. Интересно отметить,
-что близкие результаты были получены не смотря на то, что в методе
+что близкие результаты были получены несмотря на то, что в методе
 FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем поле интегрированием по
 FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем поле интегрированием по
 части плоскости, перекрывающей заданную апертуру, а в методе Т-матриц
 части плоскости, перекрывающей заданную апертуру, а в методе Т-матриц
 интегрирование велось по углу в дальнем поле.
 интегрирование велось по углу в дальнем поле.
@@ -548,8 +546,8 @@ FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем по
 влияние свойств поверхности для тонких не кристаллических пленок. Как
 влияние свойств поверхности для тонких не кристаллических пленок. Как
 известно, зерна золота имеют свои локализованные плазмонные резонансы
 известно, зерна золота имеют свои локализованные плазмонные резонансы
 [правильная ссыль], при которых наблюдается усиление электромагнитного
 [правильная ссыль], при которых наблюдается усиление электромагнитного
-излучения на границах зерен (hot spots). В виду наличия слоя золота и
-бианизатрапии подложки hot spots в основном локализованы в области
+излучения на границах зерен (hot spots). Ввиду наличия слоя золота и
+бианизотропии подложки hot spots в основном локализованы в области
 золотой пленки, а не в воздухе, что приводит к существенному
 золотой пленки, а не в воздухе, что приводит к существенному
 поглощению энергии, связанному с оптическими потерями золота и
 поглощению энергии, связанному с оптическими потерями золота и
 Джоулевым нагревом. Понятно, что чем меньше диаметр зерен, тем больше
 Джоулевым нагревом. Понятно, что чем меньше диаметр зерен, тем больше