|
|
@@ -459,11 +459,11 @@ SC$^a$ & - & 300 &$\rightarrow\!\infty$ & $\rightarrow\! 0$& $\rightarrow \! \i
|
|
|
света из туннельного контакта эквивалентна излучению точечного диполя,
|
|
|
расположенного в середине туннельного зазора~[ссылка Андрей?]. Более
|
|
|
того, диполь ориентирован по нормали к поверхности образца, а это
|
|
|
-значит что он не излучает энергию строго вниз. Тем не менее в
|
|
|
+значит, что он не излучает энергию строго вниз. Тем не менее в
|
|
|
эксперименте с нижним расположением объектива (Рис.~\ref{rissetup})
|
|
|
было зафиксировано оптическое излучение вызванное приложением
|
|
|
-напряжения к туннельному контакту. Каким образом излучение попало в
|
|
|
-этот объектив?
|
|
|
+напряжения к туннельному контакту. Возникает вопрос, каким образом
|
|
|
+излучение попало в этот объектив?
|
|
|
|
|
|
Для моделирования излучения диполя вблизи поверхности независимо были
|
|
|
использованы два метода. Это метод конечных разностей во временной
|
|
|
@@ -490,11 +490,11 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
|
Куранта шага по времени необходимо уменьшать пропорционально шагу
|
|
|
дискретизаци в пространстве. В результате, общее время выполнения
|
|
|
расчёта растёт как $n^4$. Это и ограничивает возможность использования
|
|
|
-сеток с достаточно мелким шагом, чтобы хорошо разрешить меньшие зазоры
|
|
|
-между диполем и поверхностью.
|
|
|
+сеток с мелким шагом, необходимым чтобы разрешить меньшие зазоры между
|
|
|
+диполем и поверхностью.
|
|
|
|
|
|
В методе T-матриц вначале выполняется разложение поля диполя по
|
|
|
-плоским волнам. Далее выполняется расчёт взаимодействия каждой такой
|
|
|
+плоским волнам. Далее выполняется расчёт взаимодействия каждой плоской
|
|
|
волны со слоистой структурой. Финальный результат определяется
|
|
|
интегрированием по всем направлениям. В компьютерной программе
|
|
|
интеграл разложения заменяется на конечную сумму. Когда зазор между
|
|
|
@@ -508,11 +508,11 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
|
поверхностью в методе Т-матриц должен быть достаточно большим.
|
|
|
|
|
|
С другой стороны выбранный зазор в 10 нм уже достаточно мал, чтобы
|
|
|
-провести сравнительный анализ между разными образцами с учётом
|
|
|
-сильного ближнепольного взаимодействия диполя и металлических слоёв. В
|
|
|
+провести сравнительный анализ между образцами с учётом сильного
|
|
|
+ближнепольного взаимодействия диполя и металлических слоёв. В
|
|
|
частности фактор Парсела для длины волны 500~нм оказался больше 100
|
|
|
-при расчёте обоими методами. Для коротких длин волн основная доля
|
|
|
-энергии диполя поглощалась в металлических слоях.
|
|
|
+при расчёте обоими методами. При этом для коротких длин волн основная
|
|
|
+доля энергии диполя поглощалась в металлических слоях.
|
|
|
|
|
|
Для сопоставления с экспериментальными данными учитывался сбор
|
|
|
излучения диполя в конечную апертуру объектива. Интересно отметить,
|
