|
@@ -356,7 +356,7 @@ AIST-NT CombiScope, представляющей собой сканирующи
|
|
фотонов из туннельного контакта. Интенсивность зарегистрированного
|
|
фотонов из туннельного контакта. Интенсивность зарегистрированного
|
|
излучения туннельного контакта нормировалась на коэффициент
|
|
излучения туннельного контакта нормировалась на коэффициент
|
|
пропускания излучения на длине волны 740 нм
|
|
пропускания излучения на длине волны 740 нм
|
|
-(см. рис.~\ref{risTransmission}a). Эта длина волны была выбрана в
|
|
|
|
|
|
+(см. рис.~\ref{risTransmission}a). Эта длина волны бюыла выбрана в
|
|
качестве референсной на основании на литературных данных о спектрах
|
|
качестве референсной на основании на литературных данных о спектрах
|
|
излучения фотонов из туннельного контакта золото-золото под острием СТМ для схожих
|
|
излучения фотонов из туннельного контакта золото-золото под острием СТМ для схожих
|
|
конфигураций эксперимента ~\cite{parzefall2017antenna}.
|
|
конфигураций эксперимента ~\cite{parzefall2017antenna}.
|
|
@@ -365,8 +365,7 @@ AIST-NT CombiScope, представляющей собой сканирующи
|
|
излучения туннельного контакта. Увеличение латерального размера (ширины) зерна пленки золота в целом приводит к увеличению интенсивности излучения, такая же
|
|
излучения туннельного контакта. Увеличение латерального размера (ширины) зерна пленки золота в целом приводит к увеличению интенсивности излучения, такая же
|
|
закономерность прослеживается при уменьшении средней высоты
|
|
закономерность прослеживается при уменьшении средней высоты
|
|
зерна. Наиболее четко зависимость интенсивности излучения проявляется в зависимости
|
|
зерна. Наиболее четко зависимость интенсивности излучения проявляется в зависимости
|
|
-от параметра, определяющего аспектное отношение высоты к ширине зерен золота
|
|
|
|
-$A$. При уменьшении аспектного отношения зерна интенсивность излучения
|
|
|
|
|
|
+от параметра, определяющего аспектное $A$ отношение высоты $a$ к ширине $b$ зерен золота. При уменьшении аспектного отношения зерна интенсивность излучения
|
|
от пленок золота увеличивается драматическим образом.
|
|
от пленок золота увеличивается драматическим образом.
|
|
|
|
|
|
\commentA{Следующий абзац излишне косноязычен, т.е. написан казенным языком.}
|
|
\commentA{Следующий абзац излишне косноязычен, т.е. написан казенным языком.}
|
|
@@ -435,28 +434,25 @@ SC$^a$ & - & 300 &$\rightarrow\!\infty$ & $\rightarrow\! 0$& $\rightarrow \! \i
|
|
% \textbf{Таблица 1.} Параметры образцов и экспериментальные данные}
|
|
% \textbf{Таблица 1.} Параметры образцов и экспериментальные данные}
|
|
\end{table}
|
|
\end{table}
|
|
|
|
|
|
-\commentA{Пока закончил тут :(}
|
|
|
|
-
|
|
|
|
-\KL{
|
|
|
|
\section{Результаты численного моделирования}
|
|
\section{Результаты численного моделирования}
|
|
-
|
|
|
|
|
|
+\KL{
|
|
В предыдущем разделе было отмечено, что для сравнения эффективности
|
|
В предыдущем разделе было отмечено, что для сравнения эффективности
|
|
рождения фотонов под остриём СТМ зонда проводилась нормировка
|
|
рождения фотонов под остриём СТМ зонда проводилась нормировка
|
|
регистрируемого сигнала с целью учесть различие в пропускании света
|
|
регистрируемого сигнала с целью учесть различие в пропускании света
|
|
разными образцами. Правомерность подобной нормировки может вызывать
|
|
разными образцами. Правомерность подобной нормировки может вызывать
|
|
сомнения. Дело в том, что пропускание измерялось для случая
|
|
сомнения. Дело в том, что пропускание измерялось для случая
|
|
нормального прохождения коллимированного пучка, а в случае СТМ эмиссия
|
|
нормального прохождения коллимированного пучка, а в случае СТМ эмиссия
|
|
-света из туннельного контакта эквивалентна излучению точечного диполя,
|
|
|
|
-расположенного в середине туннельного зазора~[ссылка Андрей?]. Более
|
|
|
|
|
|
+света из туннельного контакта эквивалентна излучению точечного вертикального диполя,
|
|
|
|
+расположенного в середине туннельного зазора~\commentA{[ссылка Андрей?]}. Более
|
|
того, диполь ориентирован по нормали к поверхности образца, а это
|
|
того, диполь ориентирован по нормали к поверхности образца, а это
|
|
-значит, что он не излучает энергию строго вниз. Тем не менее в
|
|
|
|
|
|
+значит, что он не излучает энергию строго перпендикулярно подложке. Тем не менее в
|
|
эксперименте с нижним расположением объектива (Рис.~\ref{rissetup})
|
|
эксперименте с нижним расположением объектива (Рис.~\ref{rissetup})
|
|
-было зафиксировано оптическое излучение вызванное приложением
|
|
|
|
|
|
+было зафиксировано оптическое излучение, возникающее при приложении
|
|
напряжения к туннельному контакту. Возникает вопрос, каким образом
|
|
напряжения к туннельному контакту. Возникает вопрос, каким образом
|
|
излучение попало в объектив?
|
|
излучение попало в объектив?
|
|
|
|
|
|
Для моделирования излучения диполя вблизи поверхности независимо были
|
|
Для моделирования излучения диполя вблизи поверхности независимо были
|
|
-использованы два метода. Это метод конечных разностей во временной
|
|
|
|
|
|
+использованы два метода: метод конечных разностей во временной
|
|
области [Lumerical FDTD https://www.lumerical.com/] и метод Т-матриц
|
|
области [Lumerical FDTD https://www.lumerical.com/] и метод Т-матриц
|
|
[Smuthi http://smuthi.readthedocs.io, Amos Egel, Siegfried
|
|
[Smuthi http://smuthi.readthedocs.io, Amos Egel, Siegfried
|
|
W. Kettlitz, and Uli Lemmer, "Efficient evaluation of Sommerfeld
|
|
W. Kettlitz, and Uli Lemmer, "Efficient evaluation of Sommerfeld
|
|
@@ -466,9 +462,11 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
Рис.~\ref{risTransmission}b, они хорошо совпали как с результатами
|
|
Рис.~\ref{risTransmission}b, они хорошо совпали как с результатами
|
|
моделирования методом T-матриц, так и результатами полученными методом
|
|
моделирования методом T-матриц, так и результатами полученными методом
|
|
матриц переноса на Рис.~\ref{risTransmission}a.
|
|
матриц переноса на Рис.~\ref{risTransmission}a.
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
|
|
-В обоих методах диполь был расположен на расстоянии в 10~нм от
|
|
|
|
-поверхности золота, что значительно больше величины туннельного
|
|
|
|
|
|
+\commentA{ ИСПОЛЬЗОВАТЬ В ОТЧЕТЕ, НО НЕ В СТАТЬЕ:
|
|
|
|
+\sout{
|
|
|
|
+В обоих методах диполь был расположен на расстоянии 10~нм от поверхности золота, что значительно больше величины туннельного
|
|
зазора. Это связано с тем, что в каждом методе существуют ограничения,
|
|
зазора. Это связано с тем, что в каждом методе существуют ограничения,
|
|
которые при дальнейшем уменьшении расстояния между диполем и
|
|
которые при дальнейшем уменьшении расстояния между диполем и
|
|
поверхностью делают расчёт чрезвычайно трудоёмким с вычислительной
|
|
поверхностью делают расчёт чрезвычайно трудоёмким с вычислительной
|
|
@@ -480,9 +478,12 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
Куранта шага по времени необходимо уменьшать пропорционально шагу
|
|
Куранта шага по времени необходимо уменьшать пропорционально шагу
|
|
дискретизации в пространстве. В результате, общее время выполнения
|
|
дискретизации в пространстве. В результате, общее время выполнения
|
|
расчёта растёт как $n^4$. Это и ограничивает возможность использования
|
|
расчёта растёт как $n^4$. Это и ограничивает возможность использования
|
|
-сеток с мелким шагом, необходимым, чтобы разрешить меньшие зазоры между
|
|
|
|
|
|
+сеток с мелким шагом, необходимым для разрешения меньших зазоров между
|
|
диполем и поверхностью.
|
|
диполем и поверхностью.
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
|
|
|
|
+\commentA{
|
|
В методе T-матриц вначале выполняется разложение поля диполя по
|
|
В методе T-матриц вначале выполняется разложение поля диполя по
|
|
плоским волнам. Далее выполняется расчёт взаимодействия каждой плоской
|
|
плоским волнам. Далее выполняется расчёт взаимодействия каждой плоской
|
|
волны со слоистой структурой. Финальный результат определяется
|
|
волны со слоистой структурой. Финальный результат определяется
|
|
@@ -503,9 +504,9 @@ planarly layered media," J. Opt. Soc. Am. A 33, 698-706
|
|
частности фактор Парсела для длины волны 500~нм оказался больше 100
|
|
частности фактор Парсела для длины волны 500~нм оказался больше 100
|
|
при расчёте обоими методами. При этом для коротких длин волн основная
|
|
при расчёте обоими методами. При этом для коротких длин волн основная
|
|
доля энергии диполя поглощалась в металлических слоях.
|
|
доля энергии диполя поглощалась в металлических слоях.
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
|
|
-Для сопоставления с экспериментальными данными учитывался сбор
|
|
|
|
-излучения диполя в конечную апертуру объектива. Интересно отметить,
|
|
|
|
|
|
+Для сопоставления результатов моделирования с экспериментальными данными учитывался сбор излучения диполя в конечную апертуру объектива. Интересно отметить,
|
|
что близкие результаты были получены несмотря на то, что в методе
|
|
что близкие результаты были получены несмотря на то, что в методе
|
|
FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем поле интегрированием по
|
|
FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем поле интегрированием по
|
|
части плоскости, перекрывающей заданную апертуру, а в методе Т-матриц
|
|
части плоскости, перекрывающей заданную апертуру, а в методе Т-матриц
|
|
@@ -514,23 +515,25 @@ FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем по
|
|
Интерес представляет хорошее соответствие между результатом
|
|
Интерес представляет хорошее соответствие между результатом
|
|
прохождения излучения диполя, расположенного вблизи поверхности, и
|
|
прохождения излучения диполя, расположенного вблизи поверхности, и
|
|
результатом прохождения коллимированного пучка сквозь ту же
|
|
результатом прохождения коллимированного пучка сквозь ту же
|
|
-структуру. Хорошо совпали отношения спектров разных образов, абсолютные значения отличаются.
|
|
|
|
-Связано это с тем, что в моделировании с дипольным источником учитывается вклад в
|
|
|
|
-пропускание только для того излучения, которое попадает в
|
|
|
|
|
|
+структуру. Хорошо совпали отношения спектров разных образов, абсолютные значения отличаются. Связано это с тем, что в моделировании с дипольным источником учитывается вклад в пропускание только для того излучения, которое попадает в
|
|
апертуру объектива. Это существенно ограничивает набор волновых
|
|
апертуру объектива. Это существенно ограничивает набор волновых
|
|
векторов, во внимание принимаются только те волновые вектора, у
|
|
векторов, во внимание принимаются только те волновые вектора, у
|
|
которых доминирует компонента, направленная по нормали к поверхности
|
|
которых доминирует компонента, направленная по нормали к поверхности
|
|
-от диполя к объективу, что качественно похоже на прохождение плоской волны. Так как результат расчёта нормируется на спектр излучения диполя в вакууме по всем направлениям, то абсолютные значения получаются меньше, чем для пропускания коллимированного пучка. В результате можно считать, что использованная нормировка интенсивности эмиссии на спектры пропускания оказывается достаточно корректной для относительного сравнения эффективности излучения фотонов в туннельном зазоре.
|
|
|
|
|
|
+от диполя к объективу, что качественно аналогично прохождению плоской волны. Так как результат расчёта нормируется на спектр излучения диполя в вакууме по всем направлениям, то абсолютные значения получаются меньше, чем для пропускания коллимированного пучка. В результате можно считать, что использованная нормировка интенсивности эмиссии на спектры пропускания оказывается достаточно корректной для относительного сравнения эффективности излучения фотонов в туннельном зазоре.
|
|
|
|
|
|
|
|
+\commentA{В ОТЧЕТ:
|
|
|
|
+\sout{
|
|
Дополнительно с помощью метода FDTD было промоделировано влияние СТМ зонда
|
|
Дополнительно с помощью метода FDTD было промоделировано влияние СТМ зонда
|
|
на спектры пропускания для случая дипольного источника. Относительное
|
|
на спектры пропускания для случая дипольного источника. Относительное
|
|
значение пропускания для всех образцов практически не
|
|
значение пропускания для всех образцов практически не
|
|
-изменилось; приблизительно в 5 раз выросло абсолютное значение. Надо
|
|
|
|
|
|
+изменилось; приблизительно в 5 раз выросло абсолютное значение. Следует
|
|
отметить, что на Рис.~\ref{risTransmission}b поток энергии нормирован на общую
|
|
отметить, что на Рис.~\ref{risTransmission}b поток энергии нормирован на общую
|
|
излучаемую энергию этим же дипольным источником, как если бы тот находился
|
|
излучаемую энергию этим же дипольным источником, как если бы тот находился
|
|
в вакууме. Поэтому увеличение значения фактора Парсела, вызванное
|
|
в вакууме. Поэтому увеличение значения фактора Парсела, вызванное
|
|
появлением вблизи от диполя ещё одной золотой поверхности,
|
|
появлением вблизи от диполя ещё одной золотой поверхности,
|
|
естественным образом приводит к увеличению отображаемого значения.
|
|
естественным образом приводит к увеличению отображаемого значения.
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
|
|
Особо стоит отметить результаты моделирования спектров, получаемых для
|
|
Особо стоит отметить результаты моделирования спектров, получаемых для
|
|
образца №5 и образа из кристаллического золота при сборе в боковой
|
|
образца №5 и образа из кристаллического золота при сборе в боковой
|
|
@@ -539,105 +542,51 @@ FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем по
|
|
случаев отличается достаточно слабо (10-30\%). Другими словами
|
|
случаев отличается достаточно слабо (10-30\%). Другими словами
|
|
различие в эффективности вывода излучения из туннельного зазора для
|
|
различие в эффективности вывода излучения из туннельного зазора для
|
|
этих двух образцов не может быть использовано для объяснения различия
|
|
этих двух образцов не может быть использовано для объяснения различия
|
|
-в 9 раз у наблюдаемого сигнала.
|
|
|
|
|
|
+в 9 раз величин детектируемого оптического сигнала.
|
|
|
|
+
|
|
|
|
|
|
-}
|
|
|
|
|
|
|
|
\section{Обсуждение}
|
|
\section{Обсуждение}
|
|
\KL{
|
|
\KL{
|
|
Одной из интересных особенностей полученных экспериментальных данных
|
|
Одной из интересных особенностей полученных экспериментальных данных
|
|
является большой динамический диапазон интенсивности излучения фотонов
|
|
является большой динамический диапазон интенсивности излучения фотонов
|
|
туннельным зазором. Для одного и того же значения тока, протекающего
|
|
туннельным зазором. Для одного и того же значения тока, протекающего
|
|
-через СТМ зонд, измеренная интенсивность меняется почти на четыре
|
|
|
|
-порядка величины в зависимости от выбранного образца. В то же время
|
|
|
|
-параметры образцов, которыми их можно характеризовать отличаются друг
|
|
|
|
-от друга максимум в несколько раз.
|
|
|
|
|
|
+через СТМ зонд, измеренная интенсивность меняется почти на \emph{четыре
|
|
|
|
+порядка} в зависимости от образца. В то же время
|
|
|
|
+параметры образцов, которыми их можно характеризовать, отличаются друг
|
|
|
|
+от друга лишь в несколько раз.
|
|
|
|
|
|
Особенно интересно сравнивать между собой образцы №3 и №5. Они
|
|
Особенно интересно сравнивать между собой образцы №3 и №5. Они
|
|
обладают очень похожей средней толщиной золотого покрытия, а из
|
|
обладают очень похожей средней толщиной золотого покрытия, а из
|
|
-приведённых параметров больше всего отличается диаметр зёрен золота,
|
|
|
|
|
|
+приведённых параметров основным отличием является диаметр зёрен золота --
|
|
чуть более чем в два раза. В тоже время, интенсивность излучения
|
|
чуть более чем в два раза. В тоже время, интенсивность излучения
|
|
отличается в $\sim$37 раз.
|
|
отличается в $\sim$37 раз.
|
|
|
|
|
|
-Основным эффектом, определяющим интенсивность эмиссии фотонов, является протекание туннельного тока. При этом регистрируемое изменение может быть как связано с изменением самого тока, так и с различной эффективностью вывода излучения из туннельного зазора.
|
|
|
|
|
|
+Основным эффектом, определяющим интенсивность эмиссии фотонов, является протекание туннельного тока. При этом регистрируемое изменение может быть как связано с изменением самого тока, так и с различной эффективностью вывода излучения из туннельного зазора \commentA{(фактором Парселла) [Purcell E. M. Spontaneous emission probabilities at radio frequencies //Confined Electrons and Photons. – Springer, Boston, MA, 1995. – С. 839-839]}.
|
|
|
|
|
|
Численное моделирование, результаты которого представлены выше, позволяет утверждать следующее:
|
|
Численное моделирование, результаты которого представлены выше, позволяет утверждать следующее:
|
|
\begin{itemize}
|
|
\begin{itemize}
|
|
-\item Материальные параметры золота с подслоем хрома практически не меняются в зависимости от технологических параметров напыления. Экспериментально измеренные спектры хорошо описываются в широком диапазоне длин волн методом матриц переноса с использованием всего двух подгоночных параметров: толщина слоя золота и толщина подслоя хрома.
|
|
|
|
-\item Ближнепольные эффекты без учёта шероховатости плёнок не влияют на эмиссию фотонов. Независимые расчёты методом FDTD и методом T-матриц показали, что фактор Парсела для дипольного источника, эквивалентного излучению туннельного тока, слабо меняется в зависимости от образца. У образца №1 c максимальной толщиной и образца кристаллического золота спектральные зависимости фактора Парсела практически идентичны.
|
|
|
|
-\item Нормировка на спектр пропускания коллимированного является корректной для для сравнения эффективности эмиссии фотонов в туннельном зазоре между различными образцами. Это обусловлено тем, что отношение расчётных спектров пропускания для разных образцов в модели с дипольным источником и учётом апертуры сбора сигнала хорошо совпало с экспериментальными данными.
|
|
|
|
-\item Корректным является сравнение данных, полученных в геометрии пропускания и на отражение. Для области спектра, соответствующей эмиссии фотонов туннельным зазором, поток энергии, собираемый в боковую апертуру, слабо отличается для слоистого образца и образца из кристаллического кремния в модели с одинаковой мощностью дипольного источника.
|
|
|
|
|
|
+\item Материальные параметры золота и подслоя хрома можно считать не зависящими от технологических параметров напыления. Экспериментально измеренные спектры хорошо описываются в широком диапазоне длин волн с использованием в аппроксимации методом матриц переноса всего двух подгоночных параметров — толщин слоев золота и хрома.
|
|
|
|
+\item Ближнепольные эффекты (без учёта шероховатости плёнок) не влияют на эмиссию фотонов. Независимые расчёты методом FDTD и методом T-матриц показали, что фактор Парсела для дипольного источника, эквивалентного излучению туннельного тока, слабо меняется в зависимости от образца. У образца №1 c максимальной толщиной и образца кристаллического золота спектральные зависимости фактора Парсела практически идентичны.
|
|
|
|
+\item \commentA{Тот факт, что спектры пропускания, полученные в эксперименте, хорошо описываются в модели с плоскими интерфейсами металлических пленок, позволяет утверждать, что малая в сравнении с длиной волны света шероховатость образцов не приводит к каким-либо резонансным оптическим явлениям. Поэтому антенные эффекты, приводящие к дополнительному локальному усилению элекромагнитного поля и эффекту Парселла [ссылка на Парселл в туннельных токах], заведомо не дают существенного вклада в исследуемой системе.}
|
|
|
|
+\item Нормировка величины оптического сигнала на измеренный спектр пропускания является корректной для для сравнения эффективностей эмиссии фотонов в туннельном зазоре между различными образцами. Это обусловлено тем, что отношение расчётных спектров пропускания для разных образцов в модели с дипольным источником и учётом апертуры сбора сигнала хорошо совпало с экспериментальными данными.
|
|
|
|
+\item Корректным является сравнение (и перенормировка) данных, полученных в геометрии пропускания и на отражение. Для области спектра, соответствующей эмиссии фотонов туннельным зазором, поток энергии, собираемый в боковую апертуру, слабо отличается для слоистого образца и образца из кристаллического кремния в модели с одинаковой мощностью дипольного источника.
|
|
\end{itemize}
|
|
\end{itemize}
|
|
-
|
|
|
|
-Всё вместе это свидетельствует о том, что различие в интенсивности эмиссии не связано с эффективностью вывода излучения из туннельного зазора, количество фотонов, которое рождается в туннельном зазоре действительно отличается почти на четыре порядка в зависимости от используемого образца.
|
|
|
|
-
|
|
|
|
-
|
|
|
|
}
|
|
}
|
|
|
|
|
|
-\KL{По разговору с Антоном: туннельный ток ограничен током короткого
|
|
|
|
- замыкания, который в свою очередь пропорционален площади
|
|
|
|
- контакта. Уменьшение размера зёрен увеличивает общую протяжённость
|
|
|
|
- границы, т.е. уменьшает площадь контакта. Но это, вероятно, линейный
|
|
|
|
- эффект и не столь важно. А вот увеличение шероховатости также
|
|
|
|
- уменьшает площадь контакта, но это уже значительно серьезнее. Дело в
|
|
|
|
- том что после того, как зонд воткнулся в частицу, общая площадь
|
|
|
|
- туннельного контакта будет очень быстро падать в зависимости от
|
|
|
|
- радиуса золотого зерна.
|
|
|
|
-
|
|
|
|
- hint: Фактор Парсела сильно зависит от расстояния до подложки. Аналогично туннельному контакту, если считать образцы плоскими - он для фиксированного растояния один и тот же. Но на образцах с шероховатостью эффективное расстояние может оказаться разным ( плюс там еще зависит от того эффективного расстояние, которое в итоге получается от обратной связи). Учитывался ли фактор Парсела в статье Суриса? }
|
|
|
|
-
|
|
|
|
-1. Quenching and hot spots \KL{Я бы тему с hot spots и Джоулевы потери
|
|
|
|
-вообще убрал. То что написано в двух абзаца ниже вообще не
|
|
|
|
-очевидно. Для золотого шарика первый резонанс на длине волны 700-800нм
|
|
|
|
-возможен для частиц диаметром более 200 нм, а у нас максимальная
|
|
|
|
-толщина плёнок <50. Т.е. LPR явно off-resonance, а это значит что в
|
|
|
|
-таких gold flakes всё поле локализовано снаружи, где потерь нет.}
|
|
|
|
-2. Red shift due to aspect ratio increase
|
|
|
|
-3. Crystalline gold: siriously supressed quenching due to islands absence
|
|
|
|
|
|
+\commentA{Всё приведенное выше свидетельствует о том, что различие в интенсивности эмиссии фотонов не связано с эффективностью вывода излучения из туннельного зазора. Таким образом, количество фотонов, которые рождаются в туннельном зазоре, определяется прежде всего величиной туннельного тока и отличается почти на четыре порядка в зависимости от исследуемого образца и прежде всего -- его шероховатости.}
|
|
|
|
|
|
-Для понимания полученные экспериментальных данных вначале обсудим
|
|
|
|
-влияние свойств поверхности для тонких не кристаллических пленок. Как
|
|
|
|
-известно, зерна золота имеют свои локализованные плазмонные резонансы
|
|
|
|
-[правильная ссыль], при которых наблюдается усиление электромагнитного
|
|
|
|
-излучения на границах зерен (hot spots). Ввиду наличия слоя золота и
|
|
|
|
-бианизотропии подложки hot spots в основном локализованы в области
|
|
|
|
-золотой пленки, а не в воздухе, что приводит к существенному
|
|
|
|
-поглощению энергии, связанному с оптическими потерями золота и
|
|
|
|
-Джоулевым нагревом. Понятно, что чем меньше диаметр зерен, тем больше
|
|
|
|
-плотность hot spots на поверхности золота. Таким образом, увеличение
|
|
|
|
-диаметра зерна золота должно приводить к уменьшению оптических потерь,
|
|
|
|
-и как следствие к увеличению интенсивности излучения туннельного
|
|
|
|
-контакта.
|
|
|
|
|
|
|
|
-Как показано в работах [...] аспектное отношение для зерен серебра и
|
|
|
|
-золота влияет на спектральное положение оптических резонансов
|
|
|
|
-зерен. Увеличение аспектного отношения приводит к смещению данных
|
|
|
|
-резонансов в длинноволновую область. При этом известно, что мощность
|
|
|
|
-изучения туннельного контакта увеличивается при увеличении длины волны
|
|
|
|
-и максимум излучения находится в диапазоне около 750 нм. Таким
|
|
|
|
-образом, при изменении аспектного отношения зерен меняется перекрытие
|
|
|
|
-спектра мощности излучения и спектра рассеяния зерен золота, связанных
|
|
|
|
-с наноантенными эффектами. Таким образом, увеличение аспектного
|
|
|
|
-отношения зерен золота может приводить к более эффективному перекрытию
|
|
|
|
-двух явлений и усилению интенсивности излучения туннельного контакта.
|
|
|
|
|
|
+\commentA{
|
|
|
|
+Как известно, величина туннельного тока экспоненциально зависит от величины зазора, причем в показателе экспоненты стоит длина затухания волновой функции электрона в изолятор:
|
|
|
|
+$\kappa^{-1} = [2m(eV_b-\varepsilon_{F})]^{-1/2}$
|
|
|
|
+[Harrison W. A. Tunneling from an independent-particle point of view //Physical Review. – 1961. – Т. 123. – №. 1. – С. 85.]. Здесь $m$ -- масса электрона, $\varepsilon_{F}$ -- энергия Ферми электрона в проводнике. При этом максимальный ток достигается в случае нулевого зазора, то есть при коротком замыкании.
|
|
|
|
|
|
-И в конце рассмотрим случай кристаллического золота. Можно
|
|
|
|
-предположить, при переходе к экспериментальной схеме с боковым сбором
|
|
|
|
-фотонов существенную роль будет играть толщина пленки золота, при
|
|
|
|
-увеличении которой увеличивается отражение от образца, и как следствие
|
|
|
|
-вероятность рожденных фотонов быть собранными объективом. Проведенное
|
|
|
|
-нами численное моделирование (см. саплиментари) показало, что для
|
|
|
|
-пленок с характерными толщинами 26 нм и 150 нм (5-ый и SC образцы,
|
|
|
|
-соответственно), усиление фактора Парселла для излучения точечного
|
|
|
|
-оптического диполя, расположенного в непосредственной близости над
|
|
|
|
-образцом, и усиление коэффициента отражения фотонов от поверхности
|
|
|
|
-пленки практически не имеет место (менее 20 процентов). Таким образом
|
|
|
|
-усиления интенсивности излучения туннельного контакта под острием СТМ
|
|
|
|
-над кристаллическим золотом связано с отсутствием зерен и как
|
|
|
|
-следствие hot spots в пленке золота. Другими словами, в
|
|
|
|
-кристаллическом золоте меньше оптические потери по сравнению с
|
|
|
|
-зернистыми тонкими пленками, полученными термическим осаждением.
|
|
|
|
-
|
|
|
|
|
|
+В работе [Krylov M. V., Suris A. Electron tunneling through layers with statistically rough surfaces //Zh. Eksp. Teor. Fiz. – 1985. – Т. 88. – С. 2204-221.] показано, что туннельный ток (равно как и ток короткого замыкания) между двумя поверхностями прямо пропорционален площади эффективного контакта $S$. В случае, когда одна из поверхностей имеет вид островковой пленки с характерными высотой островка $a$ и полушириной $b$ оказывается, что $S \propto (b / \kappa a)^2 = (\kappa A)^{-2}$.
|
|
|
|
+
|
|
|
|
+Изложенные соображения позволяют с легкостью интерпретировать полученные экспериментальные результаты, приведенные в Табл.~\ref{tabExpData}. С убыванием аспектного отношения островков $A$ более, чем на порядок (образцы №№ 1-5), наблюдается резкий рост туннельного тока, а вместе с ним -- и интенсивности излучения туннельного контакта более, чем на 2 порядка. В случае же кристаллического золота эффективность излучения ограничена лишь формой кончика зонда.
|
|
|
|
+РЕБЯТА! ОЧЕНЬ НУЖЕН SEM ТОГО САМОГО ЗОНДА!!!
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
@@ -645,17 +594,13 @@ FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем по
|
|
В работе было проведено исследование эмиссии фотонов из туннельного
|
|
В работе было проведено исследование эмиссии фотонов из туннельного
|
|
контакта между острием СТМ зонда и пленками золота с различными
|
|
контакта между острием СТМ зонда и пленками золота с различными
|
|
морфологическими особенностями. Показано, что увеличение диаметра
|
|
морфологическими особенностями. Показано, что увеличение диаметра
|
|
-зерен золота и уменьшению их аспектного отношения приводит к
|
|
|
|
-существенному увеличению интенсивности излучения туннельного
|
|
|
|
-контакта. Экспериментальные данные показывают усиление интенсивности
|
|
|
|
-излучения от кристаллического золота на 3 порядка по сравнению с
|
|
|
|
-золотой пленкой с неоптимизированными морфологическими
|
|
|
|
-свойствами. Ухудшение эффективности излучения пленок золота связано с
|
|
|
|
-наличием зерен малого размера и увеличением оптических потерь.
|
|
|
|
|
|
+зерен золота и уменьшение их высоты приводит к
|
|
|
|
+существенному (на три порядка) увеличению интенсивности излучения туннельного
|
|
|
|
+контакта. При переходе к образцы кристаллического золота интенсивность излучения увеличивается еще на порядок.
|
|
|
|
|
|
Таким образом, эффективность излучения фотонов из туннельного контакта
|
|
Таким образом, эффективность излучения фотонов из туннельного контакта
|
|
может быть увеличена путем изменения морфологии золотой пленки, что
|
|
может быть увеличена путем изменения морфологии золотой пленки, что
|
|
-имеет критическое значения при исследовании обсуждаемого процесса с
|
|
|
|
|
|
+имеет критическое значение при исследовании обсуждаемого процесса с
|
|
учетом его низкой квантовой эффективности. Дальнейшее исследование
|
|
учетом его низкой квантовой эффективности. Дальнейшее исследование
|
|
особенностей оптического излучения из туннельного контакта внесет
|
|
особенностей оптического излучения из туннельного контакта внесет
|
|
весомый вклад в развитие основ для создания элементной базы
|
|
весомый вклад в развитие основ для создания элементной базы
|
|
@@ -692,4 +637,53 @@ FDTD расчёт потока энергии вёлся в ближнем по
|
|
|
|
|
|
% \end{thebibliography}
|
|
% \end{thebibliography}
|
|
|
|
|
|
-\end{document}
|
|
|
|
|
|
+\end{document}
|
|
|
|
+
|
|
|
|
+
|
|
|
|
+\commentA{НЕВЕРНО:
|
|
|
|
+\sout{
|
|
|
|
+1. Quenching and hot spots
|
|
|
|
+2. Red shift due to aspect ratio increase
|
|
|
|
+3. Crystalline gold: siriously supressed quenching due to islands absence
|
|
|
|
+Для понимания полученные экспериментальных данных вначале обсудим
|
|
|
|
+влияние свойств поверхности для тонких не кристаллических пленок. Как
|
|
|
|
+известно, зерна золота имеют свои локализованные плазмонные резонансы
|
|
|
|
+[правильная ссыль], при которых наблюдается усиление электромагнитного
|
|
|
|
+излучения на границах зерен (hot spots). Ввиду наличия слоя золота и
|
|
|
|
+бианизотропии подложки hot spots в основном локализованы в области
|
|
|
|
+золотой пленки, а не в воздухе, что приводит к существенному
|
|
|
|
+поглощению энергии, связанному с оптическими потерями золота и
|
|
|
|
+Джоулевым нагревом. Понятно, что чем меньше диаметр зерен, тем больше
|
|
|
|
+плотность hot spots на поверхности золота. Таким образом, увеличение
|
|
|
|
+диаметра зерна золота должно приводить к уменьшению оптических потерь,
|
|
|
|
+и как следствие к увеличению интенсивности излучения туннельного
|
|
|
|
+контакта.
|
|
|
|
+ Как показано в работах [...] аспектное отношение для зерен серебра и
|
|
|
|
+золота влияет на спектральное положение оптических резонансов
|
|
|
|
+зерен. Увеличение аспектного отношения приводит к смещению данных
|
|
|
|
+резонансов в длинноволновую область. При этом известно, что мощность
|
|
|
|
+изучения туннельного контакта увеличивается при увеличении длины волны
|
|
|
|
+и максимум излучения находится в диапазоне около 750 нм. Таким
|
|
|
|
+образом, при изменении аспектного отношения зерен меняется перекрытие
|
|
|
|
+спектра мощности излучения и спектра рассеяния зерен золота, связанных
|
|
|
|
+с наноантенными эффектами. Таким образом, увеличение аспектного
|
|
|
|
+отношения зерен золота может приводить к более эффективному перекрытию
|
|
|
|
+двух явлений и усилению интенсивности излучения туннельного контакта.
|
|
|
|
+ И в конце рассмотрим случай кристаллического золота. Можно
|
|
|
|
+предположить, при переходе к экспериментальной схеме с боковым сбором
|
|
|
|
+фотонов существенную роль будет играть толщина пленки золота, при
|
|
|
|
+увеличении которой увеличивается отражение от образца, и как следствие
|
|
|
|
+вероятность рожденных фотонов быть собранными объективом. Проведенное
|
|
|
|
+нами численное моделирование (см. саплементари) показало, что для
|
|
|
|
+пленок с характерными толщинами 26 нм и 150 нм (5-ый и SC образцы,
|
|
|
|
+соответственно), усиление фактора Парселла для излучения точечного
|
|
|
|
+оптического диполя, расположенного в непосредственной близости над
|
|
|
|
+образцом, и усиление коэффициента отражения фотонов от поверхности
|
|
|
|
+пленки практически не имеет место (менее 20 процентов). Таким образом
|
|
|
|
+усиления интенсивности излучения туннельного контакта под острием СТМ
|
|
|
|
+над кристаллическим золотом связано с отсутствием зерен и как
|
|
|
|
+следствие hot spots в пленке золота. Другими словами, в
|
|
|
|
+кристаллическом золоте меньше оптические потери по сравнению с
|
|
|
|
+зернистыми тонкими пленками, полученными термическим осаждением.
|
|
|
|
+}
|
|
|
|
+}
|