Update on Overleaf.

main_eng.tex

@@ -149,34 +149,20 @@ Quantum yield of the photon emission in the discussed process is sufficiently lo
 
 In this work, a tunnel gap was realized in a simple system of STM probe and a thin Au film deposited on a glass substrate. The probe was fabricated of a 150~mkm tungsten wire with electrochemical etching in KOH solution followed with thermal evaporation of a $\sim$30~nm thick Au layer with Cr adhesive underlayer on the probe tip. The tip characteristic radius of about 100~nm was controlled with scanning electron microscopy (SEM).
 
-Стеклянные подложки толщиной 150~мкм также покрывались тонкими слоями
-золота с толщинами в диапазоне (15-50)~нм с подслоем хрома.  Важно, что
-при напылении варьировались технологические параметры процесса,
-влияющие на морфологические особенности формируемых пленок. В контрольном эксперименте также исследовалась пленка кристаллического золота толщиной 300 нм, нанесенная на подложке из слюды. 
+	In our experimental series 150~mkm thick glass wafers covered with (15-50)~nm thick Au layers with Cr underlayer were studied. Each of the sample differed from the others in technological parameters of Au deposition process affecting the morphology of the synthesized film surface. To verify the experimental data we fabricated test sample of 300nm thick crystalline gold film deposited on mica??? substrate. 
 
 \begin{figure}[t]\centering
 	\includegraphics[width=0.95\linewidth]{ExpSetup.eps}
 	\caption{
 		\label{rissetup}
-		\textbf{Рис.~\ref{rissetup}.}  Схема
-                эксперимента. Сканирующий туннельный микроскоп
-                совмещен с инвертированным оптическим
-                микроскопом. Туннельный ток течет между СТМ зондом и
-                поверхностью золотой пленки, нанесенной на стекло.  
+		\textbf{Рис.~\ref{rissetup}.}  Experimental setup schematics. STM with integrated inverted optical microscope. Tunnel current flows between the tip of STM probe and Au film, deposited on glass substrate.  
                 \commentA {Нужна сюда же картинка от Кости с двумя характерными геометриями островков с существенно разным аспектным отношением и площадью контакта. Типа artistic view. См. письмо от 19.07.2018 17:58.}
                 }
 \end{figure}
 
-Исследования эмиссии из туннельного контакта проводились на установке
-AIST-NT CombiScope, представляющей собой сканирующий туннельный
-микроскоп совмещенный с инвертированным оптическим микроскопом. В большинстве экспериментов сбор света из туннельного контакта осуществлялся сквозь стеклянную
-подложку, на которой была напылена пленка золота. Для захвата
-излучения использовался высокоапертурный объектив (Olympus 100х, NA=0.95). Для регистрации излучения использовался детектор одиночных
-фотонов IDQ ID120 на основе лавинного фотодиода. Схема
-экспериментальной установки представлена на рис.~\ref{rissetup}.
+AIST-NT CombiScope – STM with integrated inverted optical microscope was used to study light emission in a tunnel junction. Typically, the emission collection from the gap was realized under the glass substrate covered with Au. To capture the light high aperture Olympus 100х, NA=0.95 lens was used. Single photon detector IDQ ID120 based on avalanche photodiode was used in our experiments. The setup schematics is presented in Fig.~\ref{rissetup}.
 
-
-\section{Экспериментальные результаты}
+\section{Experimental results}
 Известно, что эмиссия фотонов из туннельного контакта наблюдается при приложении напряжения смещения ($V_b$) к обкладкам туннельного контакта. При туннелировании электронов возможен упругий процесс, при котором
 электрон сохраняет свою энергию при переходе через потенциальный
 барьер, и неупругий процесс, когда часть энергии электронов теряется