|
@@ -139,8 +139,7 @@ $^e$ Université Bourgogne Franche-Comté
|
|
Понятно, что для перехода к оптоэлектронным схемам передачи данных,
|
|
Понятно, что для перехода к оптоэлектронным схемам передачи данных,
|
|
помимо логических элементов и волноводов, необходимы компактные
|
|
помимо логических элементов и волноводов, необходимы компактные
|
|
источники фотонов или плазмонов, управляемые электрически, которые
|
|
источники фотонов или плазмонов, управляемые электрически, которые
|
|
-могут быть имплементированы в интегральные схемы. Такими источниками
|
|
|
|
-могут служить полупроводниковые лазеры с резонаторами Фабри-Перо или
|
|
|
|
|
|
+могут быть имплементированы в интегральные схемы. Такими источниками могут служить полупроводниковые лазеры с резонаторами Фабри-Перо или
|
|
микродисковые лазеры. Однако, при малых геометрических размерах,
|
|
микродисковые лазеры. Однако, при малых геометрических размерах,
|
|
порядка рабочей длины волны лазера, эффективность накачки резонаторов
|
|
порядка рабочей длины волны лазера, эффективность накачки резонаторов
|
|
становится крайне низкой~\cite{somelink}\commentD{нужна
|
|
становится крайне низкой~\cite{somelink}\commentD{нужна
|
|
@@ -154,14 +153,14 @@ $^e$ Université Bourgogne Franche-Comté
|
|
эффект излучения фотонов при неупругом туннелировании электронов в
|
|
эффект излучения фотонов при неупругом туннелировании электронов в
|
|
планарной структуре металл-диэлектрик-металл (М-Д-М) с узким
|
|
планарной структуре металл-диэлектрик-металл (М-Д-М) с узким
|
|
потенциальным барьером. Как показано в ряде теоретических и
|
|
потенциальным барьером. Как показано в ряде теоретических и
|
|
-экспериментальных работ [правильные ссыли] процесс рождения фотонов
|
|
|
|
|
|
+экспериментальных работ~\cite{schneider2010optical} [правильные ссыли] процесс рождения фотонов
|
|
связан с квантовыми осцилляциями туннельного тока. При этом спектр
|
|
связан с квантовыми осцилляциями туннельного тока. При этом спектр
|
|
излучения фотонов является уширенным, и в случае одноэлектронного
|
|
излучения фотонов является уширенным, и в случае одноэлектронного
|
|
приближения энергия фотонов ограничивается потенциальной энергией,
|
|
приближения энергия фотонов ограничивается потенциальной энергией,
|
|
определяемой приложением электрического напряжения между обкладкам
|
|
определяемой приложением электрического напряжения между обкладкам
|
|
туннельного контакта.
|
|
туннельного контакта.
|
|
|
|
|
|
-В работе ~\cite{gimzewski1989enhanced} было продемонстрировано, что в
|
|
|
|
|
|
+В работе~\cite{gimzewski1989enhanced} было продемонстрировано, что в
|
|
случае туннельного контакта (металлическое острие сканирующего
|
|
случае туннельного контакта (металлическое острие сканирующего
|
|
туннельного микроскопа (СТМ) - металлическая пленка) наблюдается
|
|
туннельного микроскопа (СТМ) - металлическая пленка) наблюдается
|
|
усиление эмиссии фотонов, что связано с увеличением локальной
|
|
усиление эмиссии фотонов, что связано с увеличением локальной
|
|
@@ -173,10 +172,8 @@ $^e$ Université Bourgogne Franche-Comté
|
|
острия СТМ все равно является относительно невысокой
|
|
острия СТМ все равно является относительно невысокой
|
|
($10^{-6}-10^{-4}$). Локализация оптических наноантенн с субволновыми
|
|
($10^{-6}-10^{-4}$). Локализация оптических наноантенн с субволновыми
|
|
размерами под острием СТМ существенно увеличивает эффективность
|
|
размерами под острием СТМ существенно увеличивает эффективность
|
|
-рождения фотонов и плазмонов [Навотный]. В теоретической работе
|
|
|
|
-[Greffet] показано, что введение металлической наноантенны под острием
|
|
|
|
-СТМ сужает спектр оптического излучения из туннельного контакта и более чем на 2 порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
|
|
|
|
-плазмонов. В работе [Bert Kecht] экспериментально продемонстрировано
|
|
|
|
|
|
+рождения фотонов и плазмонов\cite{parzefall2017antenna}. В теоретической работе~\cite{Greffet2016nanoantenna} показано, что введение металлической наноантенны под острием СТМ сужает спектр оптического излучения из туннельного контакта и более чем на 2 порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
|
|
|
|
+плазмонов. В работе \cite{kern2015electrically}\commentB{Эта статья имелась ввиду?}[ Bert Kecht ] экспериментально продемонстрировано
|
|
усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
|
|
усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
|
|
туннельный контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
|
|
туннельный контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
|
|
|
|
|