Browse Source

Update on Overleaf.

Vitaliy 6 years ago
parent
commit
a2b24a053f
2 changed files with 42 additions and 8 deletions
  1. 37 0
      STM-Electroluminescence.bib
  2. 5 8
      main.tex

+ 37 - 0
STM-Electroluminescence.bib

@@ -1,5 +1,42 @@
 % Encoding: UTF-8
 % Encoding: UTF-8
 
 
+@article{kern2015electrically,
+  title={Electrically driven optical antennas},
+  author={Kern, Johannes and Kullock, Ren{\'e} and Prangsma, Jord and Emmerling, Monika and Kamp, Martin and Hecht, Bert},
+  journal={Nature Photonics},
+  volume={9},
+  number={9},
+  pages={582},
+  year={2015},
+  publisher={Nature Publishing Group}
+}
+
+
+
+@article{Greffet2016nanoantenna,
+  title={Nanoantenna for electrical generation of surface plasmon polaritons},
+  author={Bigourdan, Florian and Hugonin, Jean-Paul and Marquier, Francois and Sauvan, Christophe and Greffet, Jean-Jacques},
+  journal={Physical review letters},
+  volume={116},
+  number={10},
+  pages={106803},
+  year={2016},
+  publisher={APS}
+}
+
+
+@article{schneider2010optical,
+  title={Optical probe of quantum shot-noise reduction at a single-atom contact},
+  author={Schneider, Natalia L and Schull, Guillaume and Berndt, Richard},
+  journal={Physical review letters},
+  volume={105},
+  number={2},
+  pages={026601},
+  year={2010},
+  publisher={APS}
+}
+
+
 @article{gimzewski1989enhanced,
 @article{gimzewski1989enhanced,
   title={Enhanced photon emission in scanning tunnelling microscopy},
   title={Enhanced photon emission in scanning tunnelling microscopy},
   author={Gimzewski, JK and Sass, JK and Schlitter, RR and Schott, J},
   author={Gimzewski, JK and Sass, JK and Schlitter, RR and Schott, J},

+ 5 - 8
main.tex

@@ -139,8 +139,7 @@ $^e$ Université Bourgogne Franche-Comté
 Понятно, что для перехода к оптоэлектронным схемам передачи данных,
 Понятно, что для перехода к оптоэлектронным схемам передачи данных,
 помимо логических элементов и волноводов, необходимы компактные
 помимо логических элементов и волноводов, необходимы компактные
 источники фотонов или плазмонов, управляемые электрически, которые
 источники фотонов или плазмонов, управляемые электрически, которые
-могут быть имплементированы в интегральные схемы. Такими источниками
-могут служить полупроводниковые лазеры с резонаторами Фабри-Перо или
+могут быть имплементированы в интегральные схемы. Такими источниками могут служить полупроводниковые лазеры с резонаторами Фабри-Перо или
 микродисковые лазеры. Однако, при малых геометрических размерах,
 микродисковые лазеры. Однако, при малых геометрических размерах,
 порядка рабочей длины волны лазера, эффективность накачки резонаторов
 порядка рабочей длины волны лазера, эффективность накачки резонаторов
 становится крайне низкой~\cite{somelink}\commentD{нужна
 становится крайне низкой~\cite{somelink}\commentD{нужна
@@ -154,14 +153,14 @@ $^e$ Université Bourgogne Franche-Comté
 эффект излучения фотонов при неупругом туннелировании электронов в
 эффект излучения фотонов при неупругом туннелировании электронов в
 планарной структуре металл-диэлектрик-металл (М-Д-М) с узким
 планарной структуре металл-диэлектрик-металл (М-Д-М) с узким
 потенциальным барьером. Как показано в ряде теоретических и
 потенциальным барьером. Как показано в ряде теоретических и
-экспериментальных работ [правильные ссыли] процесс рождения фотонов
+экспериментальных работ~\cite{schneider2010optical} [правильные ссыли] процесс рождения фотонов
 связан с квантовыми осцилляциями туннельного тока. При этом спектр
 связан с квантовыми осцилляциями туннельного тока. При этом спектр
 излучения фотонов является уширенным, и в случае одноэлектронного
 излучения фотонов является уширенным, и в случае одноэлектронного
 приближения энергия фотонов ограничивается потенциальной энергией,
 приближения энергия фотонов ограничивается потенциальной энергией,
 определяемой приложением электрического напряжения между обкладкам
 определяемой приложением электрического напряжения между обкладкам
 туннельного контакта.
 туннельного контакта.
 
 
-В работе ~\cite{gimzewski1989enhanced} было продемонстрировано, что в
+В работе~\cite{gimzewski1989enhanced} было продемонстрировано, что в
 случае туннельного контакта (металлическое острие сканирующего
 случае туннельного контакта (металлическое острие сканирующего
 туннельного микроскопа (СТМ) - металлическая пленка) наблюдается
 туннельного микроскопа (СТМ) - металлическая пленка) наблюдается
 усиление эмиссии фотонов, что связано с увеличением локальной
 усиление эмиссии фотонов, что связано с увеличением локальной
@@ -173,10 +172,8 @@ $^e$ Université Bourgogne Franche-Comté
 острия СТМ все равно является относительно невысокой
 острия СТМ все равно является относительно невысокой
 ($10^{-6}-10^{-4}$). Локализация оптических наноантенн с субволновыми
 ($10^{-6}-10^{-4}$). Локализация оптических наноантенн с субволновыми
 размерами под острием СТМ существенно увеличивает эффективность
 размерами под острием СТМ существенно увеличивает эффективность
-рождения фотонов и плазмонов [Навотный]. В теоретической работе
-[Greffet] показано, что введение металлической наноантенны под острием
-СТМ сужает спектр оптического излучения из туннельного контакта и более чем на 2 порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
-плазмонов. В работе [Bert Kecht] экспериментально продемонстрировано
+рождения фотонов и плазмонов\cite{parzefall2017antenna}. В теоретической работе~\cite{Greffet2016nanoantenna} показано, что введение металлической наноантенны под острием СТМ сужает спектр оптического излучения из туннельного контакта и более чем на 2 порядка увеличивает квантовый выход процесса рождения фотонов и
+плазмонов. В работе \cite{kern2015electrically}\commentB{Эта статья имелась ввиду?}[ Bert Kecht ] экспериментально продемонстрировано
 усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
 усиление электролюминесценции планарной металлической структуры, в
 туннельный контакт которой введена сферическая Au наноантенна.
 туннельный контакт которой введена сферическая Au наноантенна.